固體、液體、粉末、合金和薄膜的元素分析。

濺射靶材組成。

隔離膜：SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si?N?、SiOF、SiON等。

高 k 和鐵電介質(zhì)薄膜：PZT、BST、SBT、Ta2O5、HfSiOx。

金屬薄膜：Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni等。

電極膜：摻雜多晶硅（摻雜劑：B、N、O、P、As）、非晶硅、WSix、Pt等。

其他摻雜薄膜（As、P）、困惰性氣體（Ne、Ar、Kr等）、C（DLC）。

鐵電薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR；PCM、GST、GeTe。

焊料凸點(diǎn)成分：SnAg、SnAgCuNi。

MEMS：ZnO、AlN、PZT的厚度和成分。

SAW器件工藝：AlN、ZnO、ZnS、SiO 2（壓電薄膜）的厚度和成分；Al、AlCu、AlSc、AlTi（電極膜）。

大樣本分析：最大 400 毫米（直徑），最大 50 毫米（厚度），高達(dá) 30 千克（質(zhì)量）

樣品適配器系統(tǒng)，適用于各種樣本量

測(cè)量點(diǎn)：30 毫米至 0.5 毫米直徑，5步自動(dòng)選擇

映射能力，允許多點(diǎn)測(cè)量

樣品視圖相機(jī)（可選）

分析范圍：Be - U

元素范圍：ppm 至 %

厚度范圍：sub ? 至 mm

衍射干擾抑制（可選）：?jiǎn)尉бr底的準(zhǔn)確結(jié)果

符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：SEMI、CE標(biāo)志

占地面積小，以前型號(hào)的 50% 占地面積